K. Isoird: шукати на сайті Z-Library

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (46)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

Thick boron doped diamond single crystals for high power electronics

Achard, J., Silva, F., Issaoui, R., Brinza, O., Tallaire, A., Schneider, H., Isoird, K., Ding, H., Koné, S., Pinault, M.A., Jomard, F., Gicquel, A.

Журнал:

Diamond and Related Materials

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.51 MB

english, 2011

[IEEE 2007 European Conference on Power Electronics and Applications - Aalborg, Denmark (2007.09.2-2007.09.5)] 2007 European Conference on Power Electronics and Applications - Deep trench MOSFET structures study for a 1200 Volts application

Theolier, L., Isoird, K., Morancho, F., Roig, J., Mahfoz-Kotb, H., Brunet, M., Dubreuil, P.

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 444 KB

english, 2007

[IEEE IC's (ISPSD) - Barcelona, Spain (2009.06.14-2009.06.18)] 2009 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's - A new junction termination technique: The Deep Trench Termination (DT2)

Theolier, L., Mahfoz-Kotb, H., Isoird, K., Morancho, F.

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 532 KB

english, 2009

Simulation and design of junction termination structures for diamond Schottky diodes

Thion, F., Isoird, K., Planson, D., Locatelli, M.-L., Ding, H.

Журнал:

Diamond and Related Materials

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 911 KB

english, 2011

[IEEE IC's (ISPSD) - Orlando, FL, USA (2008.05.18-2008.05.22)] 2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's - Feasibility study of a junction termination using deep trench isolation technique for the realization of DT-SJMOSFETs

Mahfoz-Kotb, H., Theolier, L., Morancho, F., Isoird, K., Dubreuil, P., Do Conto, T.

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 329 KB

english, 2008

Filling of very deep, wide trenches by BenzoCycloButene polymer

Hicham Eldin Mahfoz Kotb, K. Isoird, F. Morancho, L. Théolier, T. Do Conto

Журнал:

Microsystem Technologies

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 403 KB

english, 2009

CVD diamond Schottky barrier diode, carrying out and characterization

Koné, S., Civrac, G., Schneider, H., Isoird, K., Issaoui, R., Achard, J., Gicquel, A.

Журнал:

Diamond and Related Materials

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 654 KB

english, 2010

Basic parameters and models in simulation of CVD diamond devices

Ding, H., Isoird, K., Schneider, H., Kone, S., Civrac, G.

Журнал:

Diamond and Related Materials

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 457 KB

english, 2010

An assessment of contact metallization for high power and high temperature diamond Schottky devices

Koné, S., Schneider, H., Isoird, K., Thion, F., Achard, J., Issaoui, R., Msolli, S., Alexis, J.

Журнал:

Diamond and Related Materials

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.01 MB

english, 2012

Analysis of an ESD failure mechanism on a SiC MESFET

Phulpin, T., Trémouilles, D., Isoird, K., Tournier, D., Godignon, P., Austin, P.

Журнал:

Microelectronics Reliability

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.36 MB

english, 2014

High termination efficiency using polyimide trench for high voltage diamond Schottky diode

Arbess, Houssam, Isoird, Karine, Zerarka, Moustafa, Schneider, Henri, Locatelli, Marie-Laure, Planson, Dominique

Журнал:

Diamond and Related Materials

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.32 MB

english, 2015

Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs

L. Théolier, K. Isoird, H. Tranduc, F. Morancho, J. Roig, Y. Weber, E.N. Stefanov, J.-M. Reynès

Журнал:

Microelectronics Journal

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 795 KB

english, 2008

P–N Junction creation in 6H-SiC by aluminum implantation

L Ottaviani, M.L Locatelli, D Planson, K Isoird, J.P Chante, E Morvan, P Godignon

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 188 KB

english, 1999

Study of 6H–SiC high voltage bipolar diodes under reverse biases

K. Isoird, M. Lazar, L. Ottaviani, M.L. Locatelli, C. Raynaud, D. Planson, J.P. Chante

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 485 KB

english, 2001

Experimental validation of the 'floating islands' concept: 95v breakdown voltage vertical FLIdiode

Alves, S., Morancho, F., Reynes, J.-M., Margheritta, J., Deram, I., Isoird, K., Beydoun, B.

Журнал:

IEE Proceedings - Circuits Devices and Systems

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 551 KB

english, 2006

Barrier height determination of SiC Schottky diodes by capacitance and current–voltage measurements

Raynaud, C., Isoird, K., Lazar, M., Johnson, C. M., Wright, N.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 377 KB

english, 2002

[IEEE 2009 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Santiago de Compostela, Spain (2009.02.11-2009.02.13)] 2009 Spanish Conference on Electron Devices - Analysis of the C-V characteristic in SiO2/GaN MOS capacitors

Cortes, I, Al-Alam, E, Besland, MP, Regreny, P, Morancho, F, Cazarre, A, Cordier, Y, Goullet, A, Isoird, K

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.60 MB

english, 2009

Analysis and Optimization of a Thyristor Structure Using Backside Schottky Contacts Suited for the High Temperature

Toulon, Gaetan, Bourennane, Abdelhakim, Isoird, Karine

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.41 MB

english, 2013

[IEEE 2013 25th International Conference on Microelectronics (ICM) - Beirut, Lebanon (2013.12.15-2013.12.18)] 2013 25th International Conference on Microelectronics (ICM) - Field plate termination for high voltage diamond Schottky diode

Arbess, Houssam, Isoird, Karine

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.64 MB

english, 2013

[IEEE 2004 International Conference on Cyberworlds - Tokyo, Japan (18-20 Nov. 2004)] 2004 International Conference on Cyberworlds - A Framework to Improve Learning by Analyzing the Students' Browsing during the Learning Phase

Sala, M., Pompidor, P., Herin, D., Isoird, G.

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 138 KB

english, 2004

[IEEE CAS 2001 International Semiconductor Conference - Sinaia, Romania (9-13 Oct. 2001)] 2001 International Semiconductor Conference. CAS 2001 Proceedings (Cat. No.01TH8547) - 4H-SiC bipolar power diodes realized by ion implantation

Lazar, M., Planson, D., Isoird, K., Locatelli, M.L., Raynaud, C., Chante, J.P.

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 335 KB

english, 2001

A New Junction Termination Using a Deep Trench Filled With BenzoCycloButene

Theolier, L., Mahfoz-Kotb, H., Isoird, K., Morancho, F., Assie-Souleille, S., Mauran, N.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 420 KB

english, 2009

[IEEE 2005 IEEE 11th European Conference on Power Electronics and Applications - Dresden, Germany ()] 2005 European Conference on Power Electronics and Applications - Technological realization of low on-resistance FLYMOS/spl trade/ transistors dedicated to automotive applications

Alves, S., Morancho, F., Reynes, J.-M., Margheritta, J., Deram, I., Isoird, K., Tranduc, H.

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.48 MB

english, 2005

[IEEE 2013 15th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE) - Lille, France (2013.09.2-2013.09.6)] 2013 15th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE) - New termination architecture for 1700 V diamond Schottky diode

Arbess, Houssam, Isoird, Karine, Hamady, Saleem

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 880 KB

english, 2013

[IEEE Proceedings. 15th International Workshop on Database and Expert Systems Applications, 2004. - Zaragoza, Spain (2004.09.3-2004.09.3)] Proceedings. 15th International Workshop on Database and Expert Systems Applications, 2004. - A proposed architecture to index courses on Web site and analyse the student follow up

Sala, M., Pompidor, P., Herin, D., Isoird, G.

Рік:

2004

Файл:

PDF, 3.24 MB

2004

[IEEE 2007 European Conference on Power Electronics and Applications - Aalborg, Denmark (2007.09.2-2007.09.5)] 2007 European Conference on Power Electronics and Applications - Performance of 3D capacitors integrated on silicon for DC-DC converter applications

Benazzi, A., Brunet, M., Dubreuil, P., Mauran, N., Bary, L., Laur, J-P., Sanchez, J-L., Isoird, K.

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 330 KB

english, 2007

[IEEE IEEE/WIC/ACM International Conference on Web Intelligence (WI'04) - Beijing, China (20-24 Sept. 2004)] IEEE/WIC/ACM International Conference on Web Intelligence (WI'04) - Help a Teacher in the Conception of a Course by using Semantic Information

Sala, M., Pompidor, P., Herin, D., Isoird, G.

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 130 KB

english, 2004

A Comparative Study of High-Temperature Aluminum Post-Implantation Annealing in 6H- and 4H-SiC, Non-Uniform Temperature Effects

Lazar, Mihaï, Raynaud, Christophe, Planson, Dominique, Locatelli, Marie Laure, Isoird, K., Ottaviani, Laurent, Chante, Jean-Pierre, Nipoti, Roberta, Poggi, Antonella, Cardinali, G.C.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2002

Файл:

PDF, 345 KB

2002

Study of the Breakdown Voltage of Protected or Non-Protected 6H-SiC Bipolar Diodes by OBIC Characterisation

Isoird, K., Ottaviani, Laurent, Locatelli, Marie Laure, Planson, Dominique, Raynaud, Christophe, Bevilacqua, Pascal, Chante, Jean-Pierre

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 362 KB

english, 2000

Study of 4H-SiC High-Voltage Bipolar Diodes under Reverse Bias Using Electrical and OBIC Characterization

Isoird, K., Lazar, Mihaï, Locatelli, Marie Laure, Raynaud, Christophe, Planson, Dominique, Chante, Jean-Pierre

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2002

Файл:

PDF, 351 KB

2002

Comparison of Electrical Behavior of GaN-Based MOS Structures Obtained by Different PECVD Process

Al Alam, Elias, Cortés, Ignasi, Begou, T., Goullet, Antoine, Morancho, Frederique, Cazarré, Alain, Regreny, P., Brault, J., Cordier, Yvon, Besland, Marie Paule, Isoird, K.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 402 KB

english, 2012

[IEEE 2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings - Nis, Serbia (2010.05.16-2010.05.19)] 2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings - Comparison of GaN-based MOS structures with different interfacial layer treatments

Alam, E. Al, Cortes, I., Besland, M. P., Regreny, P., Goullet, A., Morancho, F., Cazarre, A., Cordier, Y., Isoird, K., Olivie, F.

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 978 KB

english, 2010

Failure analysis of ESD-stressed SiC MESFET

Phulpin, T., Trémouilles, D., Isoird, K., Tournier, D., Godignon, P., Austin, P.

Журнал:

Microelectronics Reliability

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.24 MB

english, 2015

[IEEE 2014 International Semiconductor Conference (CAS) - Sinaia, Romania (2014.10.13-2014.10.15)] 2014 International Semiconductor Conference (CAS) - Wide bandgap semiconductors for ultra high voltage devices. Design and characterization aspects

Planson, D., Brosselard, P., Isoird, K., Lazar, M., Phung, L. V., Raynaud, C., Tournier, D.

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.19 MB

english, 2014

Original Field Plate to Decrease the Maximum Electric Field Peak for High-Voltage Diamond Schottky Diode

Arbess, Houssam, Isoird, Karine, Hamady, Saleem, Zerarka, Moustafa, Planson, Dominique

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.44 MB

english, 2015

[IEEE 2015 37th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD) - Reno, NV, USA (2015.9.27-2015.10.2)] 2015 37th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD) - An electrostatic-discharge-protection solution for Silicon-Carbide MESFET

Phulpin, T., Tremouilles, D., Isoird, K., Tournier, D, Godignon, P., Austin, P.

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.31 MB

english, 2015

[IEEE 2015 MIXDES - 22nd International Conference "Mixed Design of Integrated Circuits & Systems" - Torun, Poland (2015.6.25-2015.6.27)] 2015 22nd International Conference Mixed Design of Integrated Circuits & Systems (MIXDES) - An improved junction termination design using deep trenches for superjunction power devices

Noblecourt, Sylvain, Morancho, Frederic, Isoird, Karine, Austin, Patrick, Tasselli, Josiane

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.03 MB

english, 2015

[IEEE CAS '99 Proceedings. 1999 International Semiconductor Conference - Sinaia, Romania (5-9 Oct. 1999)] CAS '99 Proceedings. 1999 International Semiconductor Conference (Cat. No.99TH8389) - Comparison of static, switching and thermal behavior between a 1500 V silicon and silicon carbide bipolar diodes

Nallet, F., Planson, D., Isoird, K., Locatelli, M.L., Chante, J.P.

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 383 KB

english, 1999

[IEEE 1998 International Semiconductor Conference. CAS'98 Proceedings - Sinaia, Romania (6-10 Oct. 1998)] 1998 International Semiconductor Conference. CAS'98 Proceedings (Cat. No.98TH8351) - Silicon carbide power devices

Chante, J.P., Locatelli, M.L., Planson, D., Ottaviani, L., Morvan, E., Isoird, K., Nallet, F.

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 1019 KB

english, 1998

[IEEE 2016 18th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'16 ECCE Europe) - Karlsruhe, Germany (2016.9.5-2016.9.9)] 2016 18th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'16 ECCE Europe) - Dynamic of power-GaN-HEMT electrical parameters: Why DC characterization might be misleading

Marcault, E., Tremouilles, D., Isoird, K., Morancho, F., Gavelle, M.

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.21 MB

english, 2016

Experimental validation of the “FLoating Island” concept: realization of low on-resistance FLYMOS™ transistors

Alves, S., Morancho, F., Reynès, J-M., Margheritta, J., Deram, I., Isoird, K.

Журнал:

The European Physical Journal Applied Physics

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.52 MB

english, 2005

Diamond Schottky diodes operating at 473 K

Monflier, Richard, Isoird, Karine, Cazarre, Alain, Tasselli, Josiane, Servel, Alexandra, Achard, Jocelyn, Eon, David, Valdivia Birnbaum, Maria José

Журнал:

EPE Journal

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.65 MB

english, 2017

Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of single-event burnout in super-junction metal-oxide semiconductor field-effect transistors

Tasselli, Josiane, Arbess, Houssam, Isoird, Karine, Morancho, Frédéric, Austin, Patrick, Zerarka, Moustafa

Журнал:

IET Circuits Devices & Systems

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 765 KB

english, 2014

Contribution to Silicon-Carbide-MESFET ESD robustness analysis

Phulpin, T., Isoird, K., Tremouilles, D., Austin, P., Perpinya, X., Leon, J., Vellvehi, M.

Журнал:

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.51 MB

english, 2018

[IEEE 2019 International Conference on Information and Communication Technology Convergence (ICTC) - Jeju Island, Korea (South) (2019.10.16-2019.10.18)] 2019 International Conference on Information and Communication Technology Convergence (ICTC) - Use Case Specification for Upper-limb Rehabilitation with FES and Exoskeleton

Kim, Woojin, Raton, Javier Finez, Isoird, Carlos Fernandez, Marinelarena, Iker, Alonso, Miguel Angel Aldudo, Shin, Myung Jun, Park, Tae Sung, Jo, Junghee, Joe, Hyunwoo, Kim, HyunSuk, Yoon, Daesub, Jun

Рік:

2019

Файл:

PDF, 2.93 MB

2019

[IEEE 2019 IEEE 13th International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS) - Toulouse, France (2019.7.9-2019.7.12)] 2019 IEEE 13th International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS) - Ohmic contacts study of P + N diodes on (111) and (100) diamond

Fontaine, Lya, Isoird, Karine, Tasselli, Josiane, Austin, Patrick, Cazarre, Alain, Boussadi, Amine, Achard, Jocelyn, Pinault-Thaury, Marie-Amandine

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 741 KB

english, 2019